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考試科目代碼
926
考試科目名稱(chēng)
半導體物理與器件
考查目標
1.系統掌握半導體物理的基礎知識和基本概念;
2. 掌握半導體光電器件(如太陽(yáng)能電池和發(fā)光二極管)的工作原理。
考試形式閉卷筆試，考試時(shí)間為120分鐘
試卷結構及題型
1.重要術(shù)語(yǔ)解釋;
2.選擇題;
3. 簡(jiǎn)答題;
4. 計算題。
滿(mǎn)分：100分。
考查知識要點(diǎn)
1. 晶體中的電子運動(dòng)狀態(tài)
固體中的缺陷和雜質(zhì);導體、半導體和絕緣體導電性能的能帶論解釋;有效質(zhì)量;空穴概念;直接帶隙和間接帶隙。
2. 平衡半導體中的載流子濃度
費米分布函數及費米能級物理意義;導帶中的電子濃度和價(jià)帶中的空穴濃度計算;載流子濃度的乘積性質(zhì);費米能級位置;施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì);雜質(zhì)半導體的載流子濃度。
3. 載流子的輸運
載流子的漂移運動(dòng)和遷移率;載流子的兩種重要散射機制(電離雜質(zhì)散射和晶格振動(dòng)散射);遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系;載流子的擴散運動(dòng);愛(ài)因斯坦關(guān)系式。
4. 非平衡載流子
非平衡載流子的產(chǎn)生概念;非平衡載流子的復合概念;非平衡載流子的壽命;準費米能級。
5. pn結
平衡pn結的形成過(guò)程及其能帶圖;平衡pn結的內建電勢差及其表達式;正向偏壓和反向偏壓下pn結電流-電壓關(guān)系的定性闡述。
6. 金屬半導體接觸和異質(zhì)結
金屬和半導體的功函數;電子親和能;歐姆接觸概念。
7. 半導體中的光器件
半導體的光吸收機制;半導體的光發(fā)射機制;半導體的光電導效應;太陽(yáng)能電池發(fā)電原理;發(fā)光二極管原理。
考試用具說(shuō)明
(需要考生使用計算器或其他考試用具的請在該欄內詳細說(shuō)明，如不需要，則填“無(wú)”)
考生需使用計算器。
參考書(shū)目
《半導體物理與器件》第2版，呂淑媛等編著(zhù)，電子工業(yè)出版社;
《半導體物理學(xué)》(第七版)，劉恩科等編著(zhù)，電子工業(yè)出版社
原標題：2025年碩士研究生入學(xué)考試復試大綱
文章來(lái)源：https://yz.jou.edu.cn/info/2107/1402.htm
